研究タイプ： TOP研究者／TOPチームのためのASPIRE
研究課題名：強誘電体ルネッサンス：ペロブスカイトを凌駕する「第四世代材料」で実現するカーボンニュートラル
研究代表者：舟窪 浩　東京工業大学 物質理工学院　教授
研究分担者：吉村 武

相手側研究代表者
（ドイツ）ウべ シュローダー　非営利会社NamLab　副科学部長・主任研究者
（米国）スーザン トロイラー-マッキンストリー　ペンシルベニア州立大学 材料工学科　教授

-2024年3月、東京 –

■酸化物材料の圧電デバイス応用 圧電MEMS共振器を用いた機械学習デバイス　　 吉村 武
■The effect of the seed layer thickness on the electrical properties of (100) BiFeO₃ epitaxial films 　　S. Aphayvong
■複数ターゲットPLDによるエピタキシャルYbFe₂O₄薄膜の組成制御　　　葉山 琢充
■スパッタ法によるAl_1-xSc_xN/Siヘテロ構造の作製　　山田 洋人
■スパッタ法によるCe,Mn置換ZnO薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性評価　　阪口 萌生
■PLD法による強相関強誘電体YbMnO₃薄膜の組成制御とその誘電特性に及ぼす影響　　　市川 颯大
■Non-doped HfO₂ ALD 薄膜成長における非平衡相の安定化　　　市川 龍斗
■物理リザバーコンピューティング応用に向けた強誘電体ゲートFETの作製と電気特性評価　　　請関 優
■強相関強誘体h-YMnO₃薄膜の成長と強誘電性評価　　　古川 勝裕
■シード層膜厚がSi基板上(100)BiFeO₃薄膜の結晶構造におよぼす影響　　　高城 明佳

大学院生 嶋本 健人君、内藤圭 吾君が 2023年度 工学研究科 学生顕彰 を受賞

-2024年3月、熊本大学-

■機能性セラミックス薄膜の成長プロセス制御による準安定相の創製と物性制御（日本セラミックス協会・学術賞受賞講演）　　藤村 紀文

-2024年1月、東京大学-

■二自由度系を用いた圧電MEMS振動発電素子の発電特性向上　　　S. Aphayvong

-2024年1月、鳥取大学-

■(010)および(001)β-Ga₂O₃基板表面へのRF窒素プラズマ照射効果：ショットキー界面の電気特性  高井 亮汰

大学院生 内藤圭吾君が第40回強誘電体会議（FMA40）において「学生最優秀発表賞」を受賞

●ワイドバンドギャップ半導体Ga₂O₃基板上へのHf_xZr_1-xO₂薄膜のALD成長 　　   内藤圭吾

-Dec. 2023, Online-

■Crystal structure and electrical properties of epitaxial (100)BiFeO₃ thin films deposited on Si substrate by sputtering method　　K. Takaki

●Selective isolation of mono to quad layered 2D materials via sonication-assisted micromechanical exfoliation
T. Nakamoto, K. Matsuyama, M. Sakai, C.-T. Chen, Y.-L. Chueh, S. Mouri, T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Kiriya
ACS NANO 18, 2455-2463 (2024)
http://10.26434/chemrxiv-2022-lgp8l

●Low-temperature homoepitaxial growth of β-Ga₂O₃ thin films by atmospheric pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition technique
Md. Earul Islam, Kento Shimamoto, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura
AIP Advances 13, 115224 (2023)
http://10.1063/5.0178100

●The ferroelectric orthorhombic phase formation of Hf_0.5Zr_0.5O₂ thin films on (-201) β–Ga₂O₃ substrate by atomic layer deposition
K. Naito, K. Yamaguchi, T. Yoshimura, and N. Fujimura
Japanese Journal of Applied Physics 62, SM1018 (2023)
http://10.35848/1347-4065/ace917

●Piezoelectric MEMS-based physical reservoir computing system without time-delayed feedback
Takeshi Yoshimura, Taiki Haga, Norifumi Fujimura, Kensuke Kanda, and Isaku Kanno
Japanese Journal of Applied Physics 62, SM1013 (2023)
http://10.35848/1347-4065/ace6ab

●Spontaneous crystal fluctuation in hydrocarbon polymer–coated monolayer MoS₂, MoSe₂, WS₂, and WSe₂ with strong photoluminescence enhancement
T. Nakahara†, T. Kobayashi†, T. Dohi, T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Kiriya († Equal contribution)
ChemRxiv (2023)
http://10.26434/chemrxiv-2023-gxzqw

-Nov. 2023, Jeju, Korea-

■Physical implementation of machine learning by piezoelectric MEMS resonators　　T. Yoshimura
■Electromechanical properties of the piezoelectric MEMS vibration energy harvesting with bistable-dynamic-magnifier two degree of freedom system　　　S. Aphayvong
■Epitaxial growth of (100) BiFeO₃ thin films on Si substrates by combinatorial sputtering method 　　　K. Takaki