准教授 吉村 武
准教授 吉村 武
Associate professor Takeshi Yoshimura
居室
B5棟4階 4A-07号室 [内線5755]
Tel/Fax
072-254-9327
yoshimura[@]omu.ac.jp * Please delete []
略歴
生年 1972
大阪府立生野高等学校(1991)
大阪府立大学 工学部 金属工学科(1996)
同院博士前期課程(1998)
同院博士後期課程(1999)
職歴
ペンシルベニア州立大学・材料研究所 博士研究員(1999.10-2002.7)
大阪府立大学工学部 非常勤嘱託研究員(2002.8-2004.3)
日本学術振興会 特別研究員 (PD) (2004.4-2005.3)
大阪府立大学大学院 工学研究科 助手/助教(2005.4-2010.3)
大阪府立大学大学院 工学研究科 准教授(2010.4-2022.3)
大阪公立大学大学院 工学研究科 准教授(2022.4-)
学位
博士(工学)(大阪府立大学、1999)
専門分野
酸化物エレクトロニクス・機能半導体デバイス・強誘電体物性・圧電・MEMS
所属学会
応用物理学会・電気学会・日本セラミックス協会・日本表面真空学会
圧電MEMS研究会 (幹事)
センシング技術応用研究会 (幹事)
講義
電子物理計測、電子セラミックス特論(大学院)
プロジェクト
- 国立研究開発法人日本医療研究開発機構(AMED) 平成30年度 「医療分野研究成果展開事業(先端計測分析技術・機器開発プログラム)」
“送受相補型圧電MEMSによる検診用超高感度超音波プローブの開発”
2018~2020年(研究代表者) - JST 平成28年度 戦略的創造研究推進事業(CREST)
“分極制御非鉛圧電薄膜による高効率MEMS振動発電素子の創製”
2016~2019年(研究分担者:代表 神戸大学 神野伊策教授) - 科学研究費補助金 基盤研究(B)
“圧電MEMSと強誘電体ゲートFETの集積化素子による高感度超音波検出の実証”
2016~2018年(研究代表者) - 日本学術振興会 科学研究費助成事業(挑戦的萌芽)
“有機強誘電体薄膜の電気熱量効果による高効率小型ヒートポンプの開発”
2013~2015年(研究代表者) - NEDO 平成23年度 先導的産業技術創出事業(若手研究グラント)
“強誘電体MEMSによる高効率振動発電素子の開発”
2011~2015年 (研究代表者)
研究概要
■本プロジェクトの成果が2012年7月2日の日経産業新聞に「圧電素子、変換効率高く 発電に特化 鉛を含まず」と題する記事に掲載されました。
■本プロジェクトの成果が2013年4月10日の日経産業新聞に「電子書籍 部屋の明かりで充電 廃熱・振動 捨てずに活用」と題する記事に掲載されました。
■本プロジェクトの成果がApplied Physics Express (APEX)Vol. 6 (2013), No. 5 Article No.: 051501 に掲載されました。
表題:Piezoelectric Vibrational Energy Harvester Using Lead-free Ferroelectric BiFeO3 Films
論文はこちら
- 近畿地方発明センタ- 研究開発助成金
“磁性強誘電体薄膜における磁気ドメイン-強誘電性ドメイン間相互作用”
2011年 (研究代表者) - 新化学発展協会 研究奨励金
“振動発電応用に向けた低誘電率圧電体薄膜の開発”
2011年 (研究代表者) - 日本学術振興会 科学研究費補助金(若手研究(B))
“強誘電体-極性半導体分極相互作用による量子細線の形成”
2008~2009年 (研究代表者) - 日本学術振興会 科学研究費補助金(若手研究(B))
“強誘電性半導体を用いた新規演算素子の開発”
2006~2007年 (研究代表者) - 戦略的情報通信研究開発推進制度 若手先端IT研究者育成型研究開発(SCOPE-R)
“超高密度ヘテロ界面を有する多層ナノチューブ型デバイスの開発”
2006~2008年 (研究分担者) - 日本学術振興会 科学研究費補助金(萌芽研究)
“強誘電体ゲート型カーボンナノチューブFETによる新規不揮発性メモリの開発”
2005年 (研究分担者) - 日本学術振興会 科学研究費補助金(特別研究員奨励費)
“カーボンナノチューブプローブを用いた強誘電体薄膜へのナノドメイン形成”
2004年 (研究代表者) - 日本学術振興会 科学研究費補助金(萌芽研究)
“非鉛強誘電体エピタキシャル薄膜における電界誘起相転移を用いた巨大圧電応答”
2004~2006年 (研究分担者) - 日本学術振興会 科学研究費補助金(基盤研究(S))
“強磁性を有する強誘電体とSi系希薄磁性半導体の接合を用いた新規な電界効果型素子”
2002~2006年 (研究分担者)