-2023年11月、熊本-

■圧電MEMS共振器を持いた物理リザバーコンピューティング　　　吉村 武

-2023年10月、奈良-

■Effects of the Distributions of the Atomic Active Species on Phase Formation of Multiferroic YbFe₂O₄ Thin Films in PLD Method　　K. Shimamoto
■Dielectric Characterization of Metal/Ferroelectric-HZO/Ga₂O₃ Interface　　K. Naito
■Composition control of YbFe₂O₄ epitaxial thin films and their optical properties fabricated by PLD method　　T. Hayama
■The effect of ablation conditions on strongly correlated ferroelectric YbMnO₃ thin film growth in PLD method　　S. Ichikawa
■The effect of the deposition parameters on the formation of the non-equilibrium phase of HfO₂ thin films in ALD methods　　R. Ichikawa
■Evaluation of Muscle Activities during Exercise Using Organic Piezoelectric Sheets　　S. Sakoda
■Investigation of reservoir computing performance using the organic ferroelectric gate-FET　H. Yamada
■Organic Ferroelectric Gate FETs for Reservoir Computing　　Y. Ukezeki

-2023年9月、熊本 –

■結合型圧電MEMS共振子のリザバー性能評価　　吉村 武
■電子強誘電体YbFe₂O₄薄膜の相形成におよぼすPLD照射レーザーの影響II　　嶋本 健人
■Electromechanical characteristics of epitaxial BiFeO₃ thin film on Si substrate fabricated by combinatorial sputtering method　　Aphayvong Sengsavang
■有機圧電シートを用いた筋音図測定における外的要因の影響　　﨏田 壮真
■コンビナトリアルスパッタ法を用いて作製したSi基板上(100)BiFeO₃エピタキシャル薄膜の結晶構造解析　高木 昂平
■Ga₂O₃基板上に作製したHf_0.5Zr_0.5O₂薄膜の強誘電性の評価　　内藤 圭吾
■YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜のFe/Yb組成制御とその光学特性　　葉山 琢充
■転写バルク結晶から100以上の単層MoS₂半導体を得る電気化学手法　　望月 陸
■ALD法によりSi基板上に作製したHfO₂薄膜の結晶構造　　市川 龍斗
■PLD法における強相関強誘電体YbMnO₃ 薄膜成長過程のin-situモニタリング　　市川 颯大
■生体応用を志向した赤外線温度測定の高精度化　　阪口 萌生
■複数圧電振動子リザバーにおけるFETの結合の検討　　庄野 武洋
■Investigation of Photovoltaic effect of (100) BiFeO₃ Thin Films Epitaxially Grown on Si Substrate　　Petitjean Amélie

大学院生 嶋本 健人君が半導体エレクトロニクス部門委員会2023年度第１回研究会において「学生優秀講演賞」を受賞

●プラズマプルームの発光分光分析による電子強誘電体YbFe₂O₄薄膜のPLD成長プロセスモニタリング    嶋本 健人

-2023年7月、大阪-

■プラズマプルームの発光分光分析による電子強誘電体YbFe₂O₄薄膜のPLD成長プロセスモニタリング   嶋本 健人
■非平衡窒素プラズマを用いた酸化ガリウム基板の窒化処理手法に関する検討　　内藤 圭吾
■マルチフェロイックYbFe₂O₄薄膜の組成制御に向けたPLD多元打ち製膜の検討　　葉山 琢充
■PLDレーザー照射条件が強相関強誘電体YbMnO₃薄膜成長におよぼす影響　　市川 颯大
■ALD法によるHfO₂薄膜作製における原料供給量が直方晶相形成過程におよぼす影響　　市川 龍斗

-2023年6月、京都-

■非平衡成長プロセスを用いた半導体/誘電体薄膜成長制御と超低消費電力半導体デバイス　　藤村 紀文

-June 2023, Kyoto-

■Efficient reservoir computing by nonlinearly coupled piezoelectric MEMS resonators　　T. Yoshimura

-2023年5月、京都-

■圧電MEMS振動子の機械学習デバイス応用　　　吉村 武
■ワイドバンドギャップ半導体Ga₂O₃基板上へのHf_xZr_1-xO₂薄膜のALD成長　　内藤 圭吾

大学院生 嶋本 健人君、松山 圭吾君、中本 竜弥君、望月 陸君が 2022年度 工学研究科 学生顕彰 を受賞

-2023年3月、東京 –

■圧電MEMS振動子によるリザバーコンピューティング　　 吉村 武
■Utilization of coupled oscillation in 2DOF-MEMS piezoelectric vibration energy harvester for impulsive force 　　S. Aphayvong
■正圧電応答顕微鏡法を用いた電極下分極ドメイン観察における空間分解能 　　萩原 拓永
■コンビナトリアルスパッタ法によるSi基板上(100)BiFeO₃エピタキシャル薄膜の成長 　　高木 昂平
■有機圧電シートを用いた筋音図測定 　　﨏田 壮真
■複数圧電振動子でのリザバーコンピューティング 　　庄野 武洋
■MEMS赤外線センサを用いた高精度温度測定の検討 　　阪口 萌生
■プラズマプルームの発光分光分析による強相関強誘電体YMnO₃薄膜のPLD成長プロセスモニタリングII 　　　五十嵐 悠生
■磁気秩序形成過程におけるマルチフェロイックYbFe₂O₄薄膜の電気伝導 　　　嶋本 健人
■PLD法を用いたYbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の組成制御 　　　葉山 琢充
■強相関強誘電体YbMnO₃薄膜の成長機構と化学量論組成が誘電特性に及ぼす影響 　　　市川 颯大
■ALD法によりGa₂O₃基板上に作製したHf_xZr_1-xO₂薄膜の結晶化過程Ⅱ 　　　内藤 圭吾
■基板近傍に成長空間を制限して作製したHfO₂薄膜のALD成長機構 　　　市川 龍斗
■ドナー性分子/2次元半導体ヘテロ構造における低温下での特異な伝導挙動 　　　松山 圭吾
■リン含有非対称分子によるTMDCに対する電子供給メカニズムの考察 　　　四谷 祥太郎
■表面電気化学反応を用いた大面積単層MoS₂単離手法の原理討究 　　　望月 陸