大学院生 宝栄周弥君が国際会議IEEE IFCS-ISAF 2020にて
IEEE IFCS-EFTF 2020 student Best Paper competition finalist に選出されました

●Formation Process of Metastable Phases of Al-Doped HfO2 Films Directly on Si by Atomic Layer Deposition　　　　S. Takarae

-2020年8月、大阪-　オンライン開催

■強相関強誘電体YMnO₃薄膜の光励起キャリアのダイナミクス：磁気秩序との相関     三浦 光平

-July 2020, Colorado, USA-

■Observation of Domain Structure of P(VDF-TrFE) Films Using Direct Piezoelectric Response Microscopy   T. Yoshimura
■Formation Process of Metastable Phases of Al-Doped HfO₂ Films Directly on Si by Atomic Layer Deposition　　S. Takarae
■Investigation of the Growth Mechanism of PZT Films Using Combinatorial Sputtering Method　　　M. Murase
■Electromechanical Properties of MEMS Piezoelectric Vibration Energy Harvester for Impulse Vibration　　　S. Aphayvong

-2020年5月、京都-　開催中止

■スパッタPZT薄膜の成長機構の検討　　　村瀬幹生
■YbFe₂O₄マルチフェロイック薄膜の組成制御と強的秩序形成　　　嶋本健人
■Investigation of Efficient Piezoelectric Energy Harvesting from Impulse Vibration 　　S. Aphayvong

「溶液プロセスによる原子層物質のトポロジカル状態発現と巨視的制御」　（桐谷 乃輔）

代表研究者：神戸大学　神野伊策 教授
研究分担者：吉村　武
研究課題名「高効率非鉛圧電薄膜発電システムの実証展開」

●Dependency of direct and inverse transverse piezoelectric properties on composition in self-polarized epitaxial (K_xNa_1−x)NbO₃ films grown via a hydrothermal method
A. Tateyama, Y. Ito, T. Shimizu, Y. Orino, M. Kurosawa, T.Yoshimura, H. Funakubo
Jpn. J. Appl. Phys. 59, SPPC03 (2020).
https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/aba9b3

●Good piezoelectricity of self-polarized thick epitaxial (K,Na)NbO₃ films grown below the Curie temperature (240 °C) using a hydrothermal method
A. Tateyama, Y. Ito, Y. Nakamura, T. Shimizu, Y. Orino, M. Kurosawa, H. Uchida, T. Shiraishi, T. Kiguchi, T. J. Konno, T. Yoshimura, H. Funakubo
Appl. Phys. Lett. 117, 142903 (2020)
https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0017990

●Supersensitive Ultrasound Probes for Medical Imaging by Piezoelectric MEMS with Complemented Transmitting and Receiving Transducers
K. Suzuki, Y. Nakayama, N. Shimizu, T. Mizuno, Y. Mita, T. Yoshimura
2020 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS), Las Vegas, NV, USA, 2020, pp. 1-4
https://ieeexplore.ieee.org/document/9251511

●Combinatorial study of the phase development of sputtered Pb(Zr,Ti)O₃ films
M. Murase, T. Yoshimura and N. Fujimura
J. J. Appl. Phys. 59 SPPC05 (2020)
https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abb4c0

●Investigation of Efficient Piezoelectric Energy Harvesting from Impulsive Force
S. Aphayvong, T. Yoshimura, S. Murakami, K. Kanda, N. Fujimura
J. J. Appl. Phys. 59 SPPD04 (2020)
https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abad16

●Change in the defect structure of composition controlled single-phase YbFe₂O₄ epitaxial thin films
K. Shimamoto, J. Tanaka, K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, N. Fujimura
J. J. Appl. Phys. 59 SPPB07 (2020)
https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/aba9b2

●Photoactivation of Strong Photoluminescence in Superacid-Treated Monolayer Molybdenum Disulfide
Y. Yamada, K. Shinokita, Y. Okajima, S. N. Takeda, Y. Matsushita, K. Takei, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, K. Matsuda, D. Kiriya
ACS Appl. Mater. Interfaces, 2020, 12, 36496–36504 (2020)
https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsami.0c09084

●Investigation of the electrocaloric effect in ferroelectric polymer film through direct measurement under alternating electric field
Y. Matsushita, T. Yoshimura, D. Kiriya, N. Fujimura
Appl. Phys. Express 13, 041007  (2020)
https://doi.org/10.35848/1882-0786/ab8053

●Valence states and the magnetism of Eu ions in Eu-doped GaN
T.Nunokawa, Y. Fujiwara, Y. Miyata, N. Fujimura, T.Sakurai, H.Ohta, A.Masago, H.Shinya, T. Fukushima, K. Sato, H. Katayama-Yoshida
Journal of Applied Physics 127, 083901 (2020)
https://doi.org/10.1063/1.5135743

大学院生 山田悠貴君が日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会2019年度第1回講演会・見学会において「学生優秀講演賞」を受賞

●UV光照射による分子接面単層MoS₂の超高発光化とそのメカニズムの検討
山田悠貴, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 篠北啓介, 松田一成, 桐谷乃輔

-2020年3月、東京-　開催中止

■強誘電体薄膜における電気熱量効果を利用した全固体ヒートポンプの検討     松下 裕司
■面外に分極した分子による２次元半導体の化学ゲーティング     福井 暁人
■成長時の酸素分圧がHfO₂:Y/Si薄膜の結晶構造や誘電特性に及ぼす影響  佐保 勇樹
■スパッタ法におけるPZT薄膜の成長機構の検討     村瀬 幹生
■Characterization of piezoelectric vibration energy harvesters with two-degree-of-freedom system using impulse vibration.       S. Aphayvong
■スパッタ法によるSi基板上へのBiFeO₃薄膜のエピタキシャル成長Ⅲ    菊地 理沙
■YbFe₂O₄電子強誘電体 PLD 薄膜のエピタキシャル成長過程と電子状態におよぼすアブレーションレーザーの影響     嶋本 健人
■電子ドナー分子の接合によるMoS₂のトポロジカル相への構造相転移     松山 圭吾
■分子性アニオンの吸着による単層二硫化モリブデンの電子状態の変調     木村 大輔

-2020年1月、山口-

■大気圧非平衡プラズマを用いて製膜したZnO薄膜高抵抗化の起源     宝栄 周弥
■ナノワイヤリソグラフィによるグラフェンナノリボンのネットワーク状構造の作製    青木 佑樹
■UV光照射による分子接面単層MoS₂の超高発光化とそのメカニズムの検討    山田 悠貴