総務省「次世代省エネ型デバイス関連技術の開発・実証事業」に採択されました。
研究代表者：東脇正高（情報通信研究機構）
本事業は、環境省と総務省における連携事業施策「革新的な省CO₂型感染症対策技術等の実用化加速のための実証事業」の一環として実施されます。

-June 2021, virtual conference-

■Investigation of electromechanical characteristics of 2-degree-of-freedom MEMS piezoelectric vibration energy harvester under impulsive force　　　S. Aphayvong
■Investigation of the growth mechanism of BiFeO₃ films on sputtering method　　R. Kikuchi
■Electrical properties of organic piezoelectric P(VDF-TrFE) films fabricated by various solvent　　K. Hiratsuka
■Characteristics of Al_1-xSc_xN epitaxial thin film on Si substrate by changing nitrogen partial pressure　　K. Miyaji

-May 2021, virtual conference-

■Approaches to Develop High Performance Piezoelectric Vibration Energy Harvester　　T. Yoshimura
■Electromechanical Properties of 2-Degree-of-Freedom MEMS Piezoelectric Vibration Energy Harvester Under Impulsive Force　　　S. Aphayvong

-2021年5月-　オンライン開催

■ロバストな量子ビット実現に向けた有機/無機接合デバイス 　Organic/inorganic hybrid device for realization of robust qubit　松山 圭吾
■二次元半導体の液中高発光化を実現するイオン界面の構築　　木村 大輔
■～1 nm 厚の単層半導体の選択的な単離手法の開拓　　中本 竜弥
■極薄の透明発光デバイス実現に向けた層状半導体の安定な超高発光化　　中原 隆宏

●原子層半導体と分子性化合物の融合機能化
桐谷乃輔, 藤村紀文
材料, 70(2021) 10 721-726
https://doi.org/10.2472/jsms.70.721

●Correlation between photoluminescence and antiferromagnetic spin order in strongly correlated YMnO₃ ferroelectric epitaxial thin film
K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, and N. Fujimura
AIP Advances 11, 075122 (2021)
http://10.1063/5.0055052

●Investigation of the wake-up process and time-dependent imprint of Hf_0.5Zr_0.5O₂ film through the direct piezoelectric response
K. Takada, M. Murase, S. Migita, Y. Morita, H. Ota, N. Fujimura, T. Yoshimura
Applied Physics Letters 119 (3), 032902
https://doi.org/10.1063/5.0047104

●Time-Dependent Imprint in Hf_0.5Zr_0.5O₂ Ferroelectric Thin Films
Kenshi Takada, Shuya Takarae, Kento Shimamoto, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura
Advanced Electronic Materials  Volume7, Issue8 (2021) 2100151
https://doi.org/10.1002/aelm.202100151

●Ultralarge Photoluminescence Enhancement of Monolayer Molybdenum Disulfide by Spontaneous Superacid Nanolayer Formation
Y. Yamada, Y. Zhang, H. Ikeno, K. Shinokita, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, K. Matsuda, and D. Kiriya
ACS Appl. Mater. Interfaces 2021, 13, 21, 25280–25289
https://doi.org/10.1021/acsami.1c04980

●Strong Photoluminescence Enhancement from Bilayer Molybdenum Disulfide via the Combination of UV-irradiation and Superacid Molecular Treatment
Yuki Yamada, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, Daisuke Kiriya
Applied Sciences 11(8), 3530 (2021).
https://doi.org/10.3390/app11083530

●Characteristics of Sputtered Lead Zirconate Titanate Thin Films with Different Layer Configurations and Large Thickness
K. Kanda, T. Koyama, T. Yoshimura, S. Murakami, K. Maenaka
IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control. 68(5):1988-1993 (2021).
https://ieeexplore.ieee.org/document/9264229

-2021年4月-　オンライン開催

■インパルス振動を用いた2自由度系圧電MEMS振動発電素子の特性評価　　    　APHAYVONG Sengsavang

-2021年3月 -　オンライン開催

■DMF分子の選択的センシングに向けた2次元半導体/溶媒分子間の相互作用に関する検討　　　福井 暁人
■Characterization of piezoelectric MEMS vibration energy harvester with two-degree-of-freedom system under impulsive force　　Aphayvong Sengsavang
■スパッタ法におけるBiFeO₃薄膜の成長機構の検討　　　菊地 理沙
■有機溶液処理による二硫化モリブデンのトポロジカル相転移の検討　　　松山 圭吾
■有機圧電体P(VDF-TrFE)の電気特性の溶媒依存性評価　　　平塚 一暉
■有機溶液内超音波印加による機械的剥離MoS₂の薄層選別法の開拓　　　中本 竜弥
■単層二硫化タングステンの発光特性向上を指向した超酸分子処理法の検討　　　中原 隆宏
■TiNバッファ層を用いたSi基板上へのAl_1-xSc_xN薄膜のエピタキシャル成長　　　宮地 航平
■WSe₂/MoS₂ヘテロ積層構造への分子接面による電子状態の変調　　　四谷 祥太郎

-2021年3月-　オンライン開催

■夾雑溶液下における2次元半導体MoS₂とアミド系分子間の特異的相互作用　　    　福井暁人

-2021年3月-　オンライン開催

■有機接合MoS₂におけるトポロジカル相への状態転移に関する研究　　    　松山圭吾

-2020年12月-　オンライン開催

■半導体トランジスタとマイクロ流体デバイスの融合による夾雑下における細胞毒分子計測　　    　福井 暁人