-2023年9月、熊本 –

■結合型圧電MEMS共振子のリザバー性能評価　　吉村 武
■電子強誘電体YbFe₂O₄薄膜の相形成におよぼすPLD照射レーザーの影響II　　嶋本 健人
■Electromechanical characteristics of epitaxial BiFeO₃ thin film on Si substrate fabricated by combinatorial sputtering method　　Aphayvong Sengsavang
■有機圧電シートを用いた筋音図測定における外的要因の影響　　﨏田 壮真
■コンビナトリアルスパッタ法を用いて作製したSi基板上(100)BiFeO₃エピタキシャル薄膜の結晶構造解析　高木 昂平
■Ga₂O₃基板上に作製したHf_0.5Zr_0.5O₂薄膜の強誘電性の評価　　内藤 圭吾
■YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜のFe/Yb組成制御とその光学特性　　葉山 琢充
■転写バルク結晶から100以上の単層MoS₂半導体を得る電気化学手法　　望月 陸
■ALD法によりSi基板上に作製したHfO₂薄膜の結晶構造　　市川 龍斗
■PLD法における強相関強誘電体YbMnO₃ 薄膜成長過程のin-situモニタリング　　市川 颯大
■生体応用を志向した赤外線温度測定の高精度化　　阪口 萌生
■複数圧電振動子リザバーにおけるFETの結合の検討　　庄野 武洋
■Investigation of Photovoltaic effect of (100) BiFeO₃ Thin Films Epitaxially Grown on Si Substrate　　Petitjean Amélie