学域生 村瀬幹生君が第10回 U3 マテリアルデザインフォーラムにおいてThe Takeshi Yokota Award for the Best Inovative Presentationを受賞
●Development of epitaxial buffer layer on Si for the growth of piezoelectric films
M.Murase,K.Izumi,T.Yoshimura and N.Fujimura