–May,2019,Rome, Italy-

■Molecular Engineering of Transition Metal Dichalcogenides (Invited) 　　　Daisuke Kiriya

-Apr. 2019,Arizona,USA-

■Time-Resolved Simulation of the Negative Capacitance Stage Emerging at the Ferroelectric/Semiconductor Hetero-Junction(Invited)

Norifumi Fujimura

-Apr.2019,Sun Yat-sen University,China-

■Molecular modulation of carrier behaviors in 2D semiconducting (Invited)    　　D.Kiriya

-Mar.2019, Stockholm,Sweden-

■Modify the Optoelectronic Properties of Transition Metal Dichalcogenides by Molecular Interaction
Daisuke Kiriya

-2018年11月、ボストン-

「2018 MRS Fall Meeting」で発表しました。

■Photo-Induced Phenomena of Strongly Correlated YMnO₃ Ferroelectric Epitaxial Films(Invited)
Norifumi Fujimura
■Physical Nature of Negative Capacitance Emerged in Ferroelectric-gate FETs
Kenshi Takada

-Oct.2019,Greece-

■Origin of the photo-induced current of strongly correlated YMnO₃ ferroelectric epitaxial films　(Invited)
Norifumi Fujimura

-2018年10月,Cancun,Mexico-

桐谷 乃輔助教が、Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science
(AiMES 2018)で発表をしました。

■Molecular Engineering on Transition Metal Dichalcogenides　　　　D. Kiriya

-2018年9月、神戸-

「International Workshop on Piezoelectric Materials and Applications in Actuators (IWPMA2018)」で
学生が発表しました。

■High-Efficient Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvester using Sputtered BiFeO₃ films　M.Aramaki
■Energy Harvesting from AC Power Line using Piezoelectric and Permanent Magnet　　　K.Izumi

-2018年8月-

韓国との二国間会議を1994年に開始、以来開催国を交互にし、今回12回目となる
日韓強誘電体会議（委員長：藤村　紀文教授、ソウル国立大学Cheol Seong Hwang教授）を開催。
日本側97名、韓国側54名、その他（中国、アメリカ）の合計153名が参加しました。

会場の奈良ホテル。
委員長、藤村教授。	東京工業大学　細野秀雄教授のプレナリー講演。
著名な先生方の講演。	藤村研のD1学生の口頭発表。
ポスター発表
バンケットにおいてYoung Scientist Sessionを開催。	日韓の学生参加者が10グループに編成され、 What can we do for IoT society? という課題で発表を行った。

事前にインターネットを利用して議論し それぞれの班の意見をまとめて講演した。
優秀な講演に対して3つのMIP賞と (Most Impressive, Most Innovative, Most Interesting) 賞金が授与。	M2一宮 永君がポスター賞を受賞。

東大寺の見学

■Development of High Performance Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvester using
BiFeO₃ films  　M.Aramaki
■Characterization of Electrocaloric Temperature Changes in P(VDF-TrFE) Thin Films
in P(VDF-TrFE) Thin Films   　 Y.Matsushita
■Investigation of Physical Nature of Transient Negative Capacitance Emerged in
Ferroelectric-gate FETs    K.Takada
■Photo-induced phenomena of strongly correlated ferroelectric YMnO₃ epitaxial films 　K.Miura
■Energy Harvesting from AC Power Line　K.Izumi
■Spontaneous pattern-formation toward effective doping in 2D materials　H.Ichimiya
■Fabrication of ZnO thin films by PLD using nonequilibrium with additional oxygen-nitrogen
plasma source      R.Kanaya
■Growth process of HfO₂:Y epitaxial thin films on (001) Si 　　D.Kamada
■The direct piezoelectric properties of (100) BiFeO₃ epitaxial films deposited by rf magnetron
sputtering      N.Okamoto
■Piezoelectric properties of vinylidene fluoride – trifluoroethylene copolymer [P(VDF-TrFE)] films
I.Kanagawa
■Electric and magnetic properties of multiferroic YbFe₂O₄ thin films with non-stoichiometric
omposition    J.Tanaka
■Synthesis and Characterization of a Molecular Dopant for 2D Semiconducting Materials　A.Fukui

-Jun.2018、Tokyo,Japan-

■Development of a Molecular Dopant toward Selective-area Carrier Modulation of 2D Materials
A. Fukui