-2024年3月、東京 –

■酸化物材料の圧電デバイス応用 圧電MEMS共振器を用いた機械学習デバイス　　 吉村 武
■The effect of the seed layer thickness on the electrical properties of (100) BiFeO₃ epitaxial films 　　S. Aphayvong
■複数ターゲットPLDによるエピタキシャルYbFe₂O₄薄膜の組成制御　　　葉山 琢充
■スパッタ法によるAl_1-xSc_xN/Siヘテロ構造の作製　　山田 洋人
■スパッタ法によるCe,Mn置換ZnO薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性評価　　阪口 萌生
■PLD法による強相関強誘電体YbMnO₃薄膜の組成制御とその誘電特性に及ぼす影響　　　市川 颯大
■Non-doped HfO₂ ALD 薄膜成長における非平衡相の安定化　　　市川 龍斗
■物理リザバーコンピューティング応用に向けた強誘電体ゲートFETの作製と電気特性評価　　　請関 優
■強相関強誘体h-YMnO₃薄膜の成長と強誘電性評価　　　古川 勝裕
■シード層膜厚がSi基板上(100)BiFeO₃薄膜の結晶構造におよぼす影響　　　高城 明佳