-2024年3月、東京 –

■酸化物材料の圧電デバイス応用 圧電MEMS共振器を用いた機械学習デバイス　　 吉村 武
■The effect of the seed layer thickness on the electrical properties of (100) BiFeO₃ epitaxial films 　　S. Aphayvong
■複数ターゲットPLDによるエピタキシャルYbFe₂O₄薄膜の組成制御　　　葉山 琢充
■スパッタ法によるAl_1-xSc_xN/Siヘテロ構造の作製　　山田 洋人
■スパッタ法によるCe,Mn置換ZnO薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性評価　　阪口 萌生
■PLD法による強相関強誘電体YbMnO₃薄膜の組成制御とその誘電特性に及ぼす影響　　　市川 颯大
■Non-doped HfO₂ ALD 薄膜成長における非平衡相の安定化　　　市川 龍斗
■物理リザバーコンピューティング応用に向けた強誘電体ゲートFETの作製と電気特性評価　　　請関 優
■強相関強誘体h-YMnO₃薄膜の成長と強誘電性評価　　　古川 勝裕
■シード層膜厚がSi基板上(100)BiFeO₃薄膜の結晶構造におよぼす影響　　　高城 明佳

-2024年3月、熊本大学-

■機能性セラミックス薄膜の成長プロセス制御による準安定相の創製と物性制御（日本セラミックス協会・学術賞受賞講演）　　藤村 紀文

-2024年1月、東京大学-

■二自由度系を用いた圧電MEMS振動発電素子の発電特性向上　　　S. Aphayvong

-2024年1月、鳥取大学-

■(010)および(001)β-Ga₂O₃基板表面へのRF窒素プラズマ照射効果：ショットキー界面の電気特性  高井 亮汰

-Dec. 2023, Online-

■Crystal structure and electrical properties of epitaxial (100)BiFeO₃ thin films deposited on Si substrate by sputtering method　　K. Takaki

-Nov. 2023, Jeju, Korea-

■Physical implementation of machine learning by piezoelectric MEMS resonators　　T. Yoshimura
■Electromechanical properties of the piezoelectric MEMS vibration energy harvesting with bistable-dynamic-magnifier two degree of freedom system　　　S. Aphayvong
■Epitaxial growth of (100) BiFeO₃ thin films on Si substrates by combinatorial sputtering method 　　　K. Takaki

-2023年11月、熊本-

■圧電MEMS共振器を持いた物理リザバーコンピューティング　　　吉村 武

-2023年10月、奈良-

■Effects of the Distributions of the Atomic Active Species on Phase Formation of Multiferroic YbFe₂O₄ Thin Films in PLD Method　　K. Shimamoto
■Dielectric Characterization of Metal/Ferroelectric-HZO/Ga₂O₃ Interface　　K. Naito
■Composition control of YbFe₂O₄ epitaxial thin films and their optical properties fabricated by PLD method　　T. Hayama
■The effect of ablation conditions on strongly correlated ferroelectric YbMnO₃ thin film growth in PLD method　　S. Ichikawa
■The effect of the deposition parameters on the formation of the non-equilibrium phase of HfO₂ thin films in ALD methods　　R. Ichikawa
■Evaluation of Muscle Activities during Exercise Using Organic Piezoelectric Sheets　　S. Sakoda
■Investigation of reservoir computing performance using the organic ferroelectric gate-FET　H. Yamada
■Organic Ferroelectric Gate FETs for Reservoir Computing　　Y. Ukezeki

-2023年9月、熊本 –

■結合型圧電MEMS共振子のリザバー性能評価　　吉村 武
■電子強誘電体YbFe₂O₄薄膜の相形成におよぼすPLD照射レーザーの影響II　　嶋本 健人
■Electromechanical characteristics of epitaxial BiFeO₃ thin film on Si substrate fabricated by combinatorial sputtering method　　Aphayvong Sengsavang
■有機圧電シートを用いた筋音図測定における外的要因の影響　　﨏田 壮真
■コンビナトリアルスパッタ法を用いて作製したSi基板上(100)BiFeO₃エピタキシャル薄膜の結晶構造解析　高木 昂平
■Ga₂O₃基板上に作製したHf_0.5Zr_0.5O₂薄膜の強誘電性の評価　　内藤 圭吾
■YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜のFe/Yb組成制御とその光学特性　　葉山 琢充
■転写バルク結晶から100以上の単層MoS₂半導体を得る電気化学手法　　望月 陸
■ALD法によりSi基板上に作製したHfO₂薄膜の結晶構造　　市川 龍斗
■PLD法における強相関強誘電体YbMnO₃ 薄膜成長過程のin-situモニタリング　　市川 颯大
■生体応用を志向した赤外線温度測定の高精度化　　阪口 萌生
■複数圧電振動子リザバーにおけるFETの結合の検討　　庄野 武洋
■Investigation of Photovoltaic effect of (100) BiFeO₃ Thin Films Epitaxially Grown on Si Substrate　　Petitjean Amélie

-2023年7月、大阪-

■プラズマプルームの発光分光分析による電子強誘電体YbFe₂O₄薄膜のPLD成長プロセスモニタリング   嶋本 健人
■非平衡窒素プラズマを用いた酸化ガリウム基板の窒化処理手法に関する検討　　内藤 圭吾
■マルチフェロイックYbFe₂O₄薄膜の組成制御に向けたPLD多元打ち製膜の検討　　葉山 琢充
■PLDレーザー照射条件が強相関強誘電体YbMnO₃薄膜成長におよぼす影響　　市川 颯大
■ALD法によるHfO₂薄膜作製における原料供給量が直方晶相形成過程におよぼす影響　　市川 龍斗